FDS5672
Номер продукту виробника:

FDS5672

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDS5672-DG

Опис:

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Докладний опис:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Інвентаризація:

5013 Штук Новий Оригінал В наявності
12851186
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDS5672 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
12A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOIC
Упаковка / Чохол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовий номер товару
FDS56

Технічний опис та документи

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDS5672-DG
FDS5672TR
2156-FDS5672-OS
FDS5672DKR
FAIFSCFDS5672
FDS5672CT

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

HUFA76633P3

MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3

onsemi

FDMC4435BZ

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

onsemi

FDS6673BZ-F085

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

onsemi

FDU8880

MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK