Номер продукту виробника:
FDS5670
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDS5670-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Докладний опис:
N-Channel 60 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Інвентаризація:
21413 Штук Новий Оригінал В наявності
12846241
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDS5670 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
10A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2900 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOIC
Упаковка / Чохол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовий номер товару
FDS56
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDS5670TR
2156-FDS5670-OS
ONSFSCFDS5670
FDS5670DKR
FDS5670CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
AON6916
MOSFET N-CH
FQU10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
AO3407L
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
