Номер продукту виробника:
FDS3572
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDS3572-DG
Опис:
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Докладний опис:
N-Channel 80 V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Інвентаризація:
6770 Штук Новий Оригінал В наявності
12849343
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDS3572 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
80 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
16mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-SOIC
Упаковка / Чохол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовий номер товару
FDS35
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
2156-FDS3572-OS
FDS3572-DG
FDS3572CT
FDS3572TR
FDS3572DKR
FAIFSCFDS3572
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
FCH104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
