Номер продукту виробника:
FDR844P
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDR844P-DG
Опис:
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Докладний опис:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Інвентаризація:
12847139
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDR844P Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
10A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
1.8V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
4951 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.8W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SuperSOT™-8
Упаковка / Чохол
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Базовий номер товару
FDR84
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NTJS3151PT2G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
AO4405L
MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
FDR858P
MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
