Номер продукту виробника:
FDP2614
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDP2614-DG
Опис:
MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3
Інвентаризація:
9582 Штук Новий Оригінал В наявності
12839492
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDP2614 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
200 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
62A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
27mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
7230 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
260W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
FDP26
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
50
Інші назви
FDP2614-DG
2156-FDP2614-OS
FDP2614FS
ONSONSFDP2614
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NVF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
HUFA75339P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
AUIRLU024Z
MOSFET N-CH 55V 16A IPAK
