FDP090N10
Номер продукту виробника:

FDP090N10

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDP090N10-DG

Опис:

MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Докладний опис:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3

Інвентаризація:

12259 Штук Новий Оригінал В наявності
12847779
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDP090N10 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
75A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
9mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
8225 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
208W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-220-3
Упаковка / Чохол
TO-220-3
Базовий номер товару
FDP090

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
50

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

FQP5N30

MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3

onsemi

FDWS9511L-F085

MOSFET P-CH 40V 30A 8DFN

onsemi

NDD05N50ZT4G

MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK

onsemi

FDMC013P030Z

MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP