Номер продукту виробника:
FDN5630
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDN5630-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Докладний опис:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Інвентаризація:
5620 Штук Новий Оригінал В наявності
12836551
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDN5630 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
400 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
500mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-23-3
Упаковка / Чохол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовий номер товару
FDN563
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDN5630CT
FDN5630_F095CT-DG
FDN5630TR
ONSONSFDN5630
FDN5630_F095TR
FDN5630_F095TR-DG
FDN5630_F095DKR-DG
FDN5630_F095
FDN5630_F095DKR
FDN5630_F095CT
FDN5630DKR
2156-FDN5630-OS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IRLR110ATF
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
FQA44N10
MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
