Номер продукту виробника:
FDN357N
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDN357N-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Докладний опис:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Інвентаризація:
21122 Штук Новий Оригінал В наявності
12850974
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDN357N Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
60mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
5.9 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
235 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
500mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-23-3
Упаковка / Чохол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовий номер товару
FDN357
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDN357NCT
FDN357NDKR
FDN357NTR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDB2614
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
FDU6N25
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
