Номер продукту виробника:
FDN336P
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDN336P-DG
Опис:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Докладний опис:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Інвентаризація:
20283 Штук Новий Оригінал В наявності
12847411
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDN336P Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
2.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
200mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
330 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
500mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-23-3
Упаковка / Чохол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовий номер товару
FDN336
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDN336PDKR
FDN336PCT
ONSFSCFDN336P
FDN336PTR
2156-FDN336P-OS
FDN336PCT-NDR
FDN336PTR-NDR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQPF6P25
MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F
FQU9N25TU
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
