Номер продукту виробника:
FDN302P
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDN302P-DG
Опис:
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Докладний опис:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Інвентаризація:
13756 Штук Новий Оригінал В наявності
12836378
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDN302P Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
2.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
55mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
882 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
500mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-23-3
Упаковка / Чохол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовий номер товару
FDN302
Технічний опис та документи
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDN302P-NDR
FDN302P-DG
FDN302PCT
FDN302PTR
2156-FDN302P-OS
FAIFSCFDN302P
FDN302PDKR
Q1148322
2832-FDN302P
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQH44N10-F133
MOSFET N-CH 100V 48A TO247-3
FQPF5N50C
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDP038AN06A0-F102
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3