Номер продукту виробника:
FDMS86181
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDMS86181-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Докладний опис:
N-Channel 100 V 44A (Ta), 124A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Інвентаризація:
5232 Штук Новий Оригінал В наявності
12923400
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDMS86181 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
44A (Ta), 124A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
4.2mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
4125 pF @ 50 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чохол
8-PowerTDFN
Базовий номер товару
FDMS86
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
2832-FDMS86181TR
ONSONSFDMS86181
FDMS86181DKR
FDMS86181TR
FDMS86181CT
2156-FDMS86181-OS
FDMS86181-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
JANTXV2N6796
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
FQP3N30
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3
JANTXV2N7228
MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA