FDMS7682
Номер продукту виробника:

FDMS7682

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDMS7682-DG

Опис:

MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN
Докладний опис:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Інвентаризація:

5880 Штук Новий Оригінал В наявності
12839971
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDMS7682 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
16A (Ta), 22A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1885 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 33W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чохол
8-PowerTDFN
Базовий номер товару
FDMS76

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDMS7682CT
FDMS7682TR
FDMS7682DKR
2156-FDMS7682-488

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

FDT86256

MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223

onsemi

NTD32N06

MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

onsemi

FQP7N10

MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

IGO60R070D1AUMA1

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO