FDMS7678
Номер продукту виробника:

FDMS7678

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDMS7678-DG

Опис:

MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
Докладний опис:
N-Channel 30 V 17.5A (Ta), 26A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Інвентаризація:

3000 Штук Новий Оригінал В наявності
12850269
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDMS7678 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
17.5A (Ta), 26A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
5.5mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2410 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.3W (Ta), 41W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чохол
8-PowerTDFN
Базовий номер товару
FDMS76

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDMS7678-DG
ONSONSFDMS7678
2156-FDMS7678-OS
FDMS7678DKR
FDMS7678CT
FDMS7678TR

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

FDD8453LZ-F085

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4185L

MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252

onsemi

FQP19N20C

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

onsemi

FCB20N60FTM

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK