Номер продукту виробника:
FDMC8882
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDMC8882-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Докладний опис:
N-Channel 30 V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Інвентаризація:
61937 Штук Новий Оригінал В наявності
12837267
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDMC8882 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
10.5A (Ta), 16A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
14.3mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
945 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.3W (Ta), 18W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-MLP (3.3x3.3)
Упаковка / Чохол
8-PowerWDFN
Базовий номер товару
FDMC88
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDMC8882FSDKR
FDMC8882-DG
FDMC8882FSTR
FDMC8882FSCT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDMS8320L
MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
FDMC86570LET60
MOSFET N-CH 60V 18A/87A POWER33
FDB20N50F
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
