Номер продукту виробника:
FDMC8622
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDMC8622-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Докладний опис:
N-Channel 100 V 4A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Інвентаризація:
22652 Штук Новий Оригінал В наявності
12850593
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDMC8622 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
4A (Ta), 16A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
56mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
7.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
402 pF @ 50 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.5W (Ta), 31W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-MLP (3.3x3.3)
Упаковка / Чохол
8-PowerWDFN
Базовий номер товару
FDMC86
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDMC8622DKR
FDMC8622-DG
FDMC8622CT
FDMC8622TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDU3706
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK
R6006JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3