FDJ129P
Номер продукту виробника:

FDJ129P

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDJ129P-DG

Опис:

MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
Докладний опис:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP

Інвентаризація:

12839515
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDJ129P Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
2.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
70mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
780 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.6W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SC75-6 FLMP
Упаковка / Чохол
SC-75-6 FLMP
Базовий номер товару
FDJ129

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDJ129PTR-NDR
FDJ129P_NLTR
FDJ129P_NLTR-DG
FDJ129PDKR
FDJ129P_NLCT-DG
FDJ129PCT
FDJ129P_NLCT
FDJ129PTR
FDJ129P_NL
FDJ129PCT-NDR

Екологічна та експортна класифікація

Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

FDL100N50F

MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3

onsemi

HUFA75345S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDN308P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

IRLS630A

MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3