FDJ128N
Номер продукту виробника:

FDJ128N

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDJ128N-DG

Опис:

MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 FLMP
Докладний опис:
N-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP

Інвентаризація:

12847088
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDJ128N Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
2.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
543 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.6W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SC75-6 FLMP
Упаковка / Чохол
SC-75-6 FLMP
Базовий номер товару
FDJ128

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDJ128N_NLTR-DG
FDJ128NTR-NDR
FDJ128N_NLCT-DG
FDJ128NCT
FDJ128N_NLCT
FDJ128NTR
FDJ128N_NL
FDJ128NCT-NDR
FDJ128NDKR
FDJ128N_NLTR

Екологічна та експортна класифікація

Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

FDMS0312S

MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN

onsemi

FDMC86139P

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

onsemi

FQB6N40CTM

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK

onsemi

FQB32N12V2TM

MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK