FDG6308P
Номер продукту виробника:

FDG6308P

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDG6308P-DG

Опис:

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Докладний опис:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Інвентаризація:

12837688
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDG6308P Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Польові транзистори (FET), масиви MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Конфігурації
2 P-Channel (Dual)
Функція польового транзистора
Logic Level Gate
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
600mA
Rds On (Макс) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
153pF @ 10V
Потужність - Макс
300mW
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв від постачальника
SC-88 (SC-70-6)
Базовий номер товару
FDG6308

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDG6308P-DG
2156-FDG6308P-OS
FDG6308PTR
ONSONSFDG6308P
FDG6308PDKR
FDG6308PCT

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095

Альтернативні моделі

Номер частини
NTJD4152PT1G
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
15411
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
NTJD4152PT1G-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.10
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
onsemi

FDME1034CZT

MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET

onsemi

FDG8842CZ

MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88

infineon-technologies

AUIRF7103Q

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

onsemi

FDC6327C

MOSFET N/P-CH 20V 2.7A SSOT6