Номер продукту виробника:
FDG316P
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDG316P-DG
Опис:
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC88
Докладний опис:
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Інвентаризація:
12840130
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDG316P Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
190mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
165 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
750mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовий номер товару
FDG316
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDG316PDKR
FDG316PCT
FDG316PTR
FDG316P-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
NTJS4151PT1G
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
10423
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
NTJS4151PT1G-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.08
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NVMFS5C404NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
IRF620B_FP001
MOSFET N-CH 200V 5A TO220-3
FQPF7N20L
MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
