Номер продукту виробника:
FDG311N
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDG311N-DG
Опис:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Докладний опис:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Інвентаризація:
12839577
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDG311N Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
2.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
270 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
750mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SC-88 (SC-70-6)
Упаковка / Чохол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовий номер товару
FDG311
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDG311NTR
FDG311NCT
FDG311N-DG
2832-FDG311NTR
2166-FDG311N-488
FDG311NDKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
NDF11N50ZG
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
FDBL86066-F085
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
IRLR210ATM
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK