FDD86326

Номер продукту виробника:

FDD86326

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDD86326-DG

Опис:

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

Докладний опис:

N-Channel 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Інвентаризація:

9960 Штук Новий Оригінал В наявності

12838548

Запросити ціну

Кількість
Мінімум 1

pTO8

(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин

ПОДАТИ

FDD86326 Технічні специфікації

Категорія

ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET

Виробник

onsemi

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Ряд

PowerTrench®

Статус товару

Active

Тип польового транзистора

N-Channel

Технології

MOSFET (Metal Oxide)

Напруга від стоку до джерела (Vdss)

80 V

Струм - безперервний стік (id) @ 25°C

8A (Ta), 37A (Tc)

Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)

6V, 10V

Rds On (Макс) @ id, vgs

23mOhm @ 8A, 10V

vgs(th) (макс.) @ id

4V @ 250µA

Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs

19 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds

1035 pF @ 50 V

Функція польового транзистора

-

Розсіювання потужності (макс.)

3.1W (Ta), 62W (Tc)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип кріплення

Surface Mount

Пакет пристроїв від постачальника

TO-252AA

Упаковка / Чохол

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Базовий номер товару

FDD863

Технічний опис та документи

Технічні специфікації

HTML Технічний лист

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет

2,500

Інші назви

FDD86326DKR

FDD86326TR

FDD86326CT

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Рівень чутливості до вологи (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

Ледар Вт Івана

8541.29.0095

Сертифікація DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Суміжні продукти

onsemi

FCPF190N65FL1

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F

onsemi

FDMS0308CS

MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN

onsemi

FQP1P50

MOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3

onsemi

FQPF3N50C

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F