Номер продукту виробника:
FDD86102
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD86102-DG
Опис:
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
9890 Штук Новий Оригінал В наявності
12837517
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
nQUG
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD86102 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
8A (Ta), 36A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
24mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1035 pF @ 50 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD861
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDD86102TR
FDD86102DKR
2832-FDD86102TR
FDD86102CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
HUF76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
