Номер продукту виробника:
FDD6680
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD6680-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
12847997
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD6680 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
12A (Ta), 46A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1230 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
3.3W (Ta), 56W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD668
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
FDD8880
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
13967
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
FDD8880-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.27
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
