Номер продукту виробника:
FDD6635
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD6635-DG
Опис:
MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
Докладний опис:
N-Channel 35 V 15A (Ta), 59A (Tc) 3.8W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
12839223
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD6635 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
35 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
15A (Ta), 59A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1400 pF @ 20 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
3.8W (Ta), 55W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD663
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDD6635TR
FDD6635DKR
2832-FDD6635TR
FDD6635CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
STD95N4LF3
ВИРОБНИК
STMicroelectronics
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
7752
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
STD95N4LF3-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.72
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
HUFA76407D3
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
FQPF90N10V2
MOSFET N-CH 100V 90A TO220F
FDU2572
MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
