Номер продукту виробника:
FDD2670
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDD2670-DG
Опис:
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Докладний опис:
N-Channel 200 V 3.6A (Ta) 3.2W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Інвентаризація:
2496 Штук Новий Оригінал В наявності
12847720
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDD2670 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
200 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
130mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1228 pF @ 100 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
3.2W (Ta), 70W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252AA
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
FDD267
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
FDD2670TR
2156-FDD2670
FDD2670DKR
FDD2670CT
FDD2670-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDMS86350ET80
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
FDN336P-NL
MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
FDB075N15A_SN00284
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
