Номер продукту виробника:
FDC8886
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDC8886-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Докладний опис:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Інвентаризація:
11945 Штук Новий Оригінал В наявності
12836294
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDC8886 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6.5A (Ta), 8A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
465 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.6W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SuperSOT™-6
Упаковка / Чохол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовий номер товару
FDC8886
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDC8886CT
FDC8886DKR
FDC8886TR
FDC8886-DG
2156-FDC8886-OS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
ATP108-TL-H
MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
IRFU220_R4941
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
