Номер продукту виробника:

FDC855N

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDC855N-DG

Опис:

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

Докладний опис:

N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Інвентаризація:

6369 Штук Новий Оригінал В наявності

12846737

Запросити ціну

Кількість
Мінімум 1

(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин

ПОДАТИ

FDC855N Технічні специфікації

Категорія

ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET

Виробник

onsemi

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Ряд

PowerTrench®

Статус товару

Active

Тип польового транзистора

N-Channel

Технології

MOSFET (Metal Oxide)

Напруга від стоку до джерела (Vdss)

30 V

Струм - безперервний стік (id) @ 25°C

6.1A (Ta)

Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)

4.5V, 10V

Rds On (Макс) @ id, vgs

27mOhm @ 6.1A, 10V

vgs(th) (макс.) @ id

3V @ 250µA

Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds

655 pF @ 15 V

Функція польового транзистора

-

Розсіювання потужності (макс.)

1.6W (Ta)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип кріплення

Surface Mount

Пакет пристроїв від постачальника

SuperSOT™-6

Упаковка / Чохол

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Базовий номер товару

FDC855

Технічний опис та документи

Технічні специфікації

HTML Технічний лист

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет

3,000

Інші назви

FDC855NTR

2832-FDC855N

FDC855NCT

FDC855NDKR

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Рівень чутливості до вологи (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

Ледар Вт Івана

8541.29.0095

Сертифікація DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Суміжні продукти

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF240L

MOSFET N-CH 40V 20A/85A TO220-3F

onsemi

FDN5618P

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220