FDC855N
Номер продукту виробника:

FDC855N

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDC855N-DG

Опис:

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Докладний опис:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Інвентаризація:

6369 Штук Новий Оригінал В наявності
12846737
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

FDC855N Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
655 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.6W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SuperSOT™-6
Упаковка / Чохол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовий номер товару
FDC855

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDC855NTR
2832-FDC855N
FDC855NCT
FDC855NDKR

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF240L

MOSFET N-CH 40V 20A/85A TO220-3F

onsemi

FDN5618P

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220