Номер продукту виробника:

FDC602P

Product Overview

Виробник:

onsemi

Номер частини:

FDC602P-DG

Опис:

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

Докладний опис:

P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Інвентаризація:

11530 Штук Новий Оригінал В наявності

12837349

Запросити ціну

Кількість
Мінімум 1

(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин

ПОДАТИ

FDC602P Технічні специфікації

Категорія

ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET

Виробник

onsemi

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Ряд

PowerTrench®

Статус товару

Active

Тип польового транзистора

P-Channel

Технології

MOSFET (Metal Oxide)

Напруга від стоку до джерела (Vdss)

20 V

Струм - безперервний стік (id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)

2.5V, 4.5V

Rds On (Макс) @ id, vgs

35mOhm @ 5.5A, 4.5V

vgs(th) (макс.) @ id

1.5V @ 250µA

Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs

20 nC @ 4.5 V

Vgs (макс.)

±12V

Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds

1456 pF @ 10 V

Функція польового транзистора

-

Розсіювання потужності (макс.)

1.6W (Ta)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип кріплення

Surface Mount

Пакет пристроїв від постачальника

SuperSOT™-6

Упаковка / Чохол

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Базовий номер товару

FDC602

Технічний опис та документи

Технічні специфікації

HTML Технічний лист

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет

3,000

Інші назви

FDC602PTR

FDC602PCT

FDC602P-DG

FDC602PDKR

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Рівень чутливості до вологи (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

Ледар Вт Івана

8541.29.0095

Сертифікація DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Суміжні продукти

onsemi

FDD050N03B

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

onsemi

FDS6679

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

onsemi

FQP4N90

MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3

onsemi

FQI6N60CTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK