Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
Франція
Іспанія
Туреччина
Молдова
Литва
Норвегія
Німеччина
Португалія
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Російська
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Сербія
Білорусь
Нідерланди
Швеція
Чорногорія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Румунія
Австрія
Бельгія
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
ДР Конго
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Ангола
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Аргентина
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
FDC021N30
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDC021N30-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Докладний опис:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Інвентаризація:
Запит на пропозицію онлайн
12838259
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDC021N30 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
26mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
710 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
700mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
SuperSOT™-6
Упаковка / Чохол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовий номер товару
FDC021
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
FDC021N30
HTML Технічний лист
FDC021N30-DG
Таблиці даних
FDC021N30
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
FDC021N30DKR
FDC021N30CT
2832-FDC021N30TR
FDC021N30TR
2832-FDC021N30-488
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
DMG6402LVT-7
ВИРОБНИК
Diodes Incorporated
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
26413
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
DMG6402LVT-7-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.06
Тип заміни
Similar
Номер частини
RQ6E055BNTCR
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
2970
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
RQ6E055BNTCR-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.20
Тип заміни
Similar
Номер частини
RQ6E045BNTCR
ВИРОБНИК
Rohm Semiconductor
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
2960
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
RQ6E045BNTCR-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.10
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
ISL9N302AP3
MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
FDMS86550
MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56
FDMC008N08C
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
HUF76407P3
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3