Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
Франція
Іспанія
Туреччина
Молдова
Литва
Норвегія
Німеччина
Португалія
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Російська
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Сербія
Білорусь
Нідерланди
Швеція
Чорногорія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Румунія
Австрія
Бельгія
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
ДР Конго
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Ангола
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Аргентина
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
FDB6670AL
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDB6670AL-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Докладний опис:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Інвентаризація:
Запит на пропозицію онлайн
12847382
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
a
9
r
F
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDB6670AL Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
80A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2440 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
68W (Tc)
Робоча температура
-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
FDB667
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
FDB6670AL
HTML Технічний лист
FDB6670AL-DG
Додаткова інформація
Стандартний пакет
800
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
PSMN4R3-30BL,118
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
9945
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PSMN4R3-30BL,118-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.58
Тип заміни
Similar
Номер частини
PSMN017-30BL,118
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
1868
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PSMN017-30BL,118-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.37
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPI057N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
NTD4810NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK