Номер продукту виробника:
FDB6670AL
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDB6670AL-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Докладний опис:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Інвентаризація:
12847382
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
a9rF
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDB6670AL Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
80A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2440 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
68W (Tc)
Робоча температура
-65°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
FDB667
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Додаткова інформація
Стандартний пакет
800
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
PSMN4R3-30BL,118
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
9945
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PSMN4R3-30BL,118-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.58
Тип заміни
Similar
Номер частини
PSMN017-30BL,118
ВИРОБНИК
Nexperia USA Inc.
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
1868
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
PSMN017-30BL,118-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.37
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPI057N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
FQB5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
NVMFS5C410NLT1G
MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
