Номер продукту виробника:
FDB2710
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDB2710-DG
Опис:
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
Докладний опис:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Інвентаризація:
101 Штук Новий Оригінал В наявності
12837241
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDB2710 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
250 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
50A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
42.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
7280 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
260W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
FDB271
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
800
Інші назви
FDB2710TR
FDB2710CT
FDB2710DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IRF540NSTRLPBF
ВИРОБНИК
Infineon Technologies
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
7309
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IRF540NSTRLPBF-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.52
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
CPH6442-TL-E
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
FQP2N30
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
FDMS86181E
FET 100V 4.2 MOHM PQFN56
