Номер продукту виробника:
FDB2552
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDB2552-DG
Опис:
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
Докладний опис:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 37A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Інвентаризація:
12837800
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDB2552 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
PowerTrench®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
150 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
5A (Ta), 37A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
36mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
150W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
FDB255
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
800
Інші назви
FDB2552CT
FDB2552-DG
FDB2552TR
FDB2552DKR
2156-FDB2552-OS
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IXTA56N15T
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXTA56N15T-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
2.00
Тип заміни
Similar
Номер частини
IXTA42N15T
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXTA42N15T-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
1.94
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDPF035N06B-F152
MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F
FQP13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
2N7002_S00Z
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
