Номер продукту виробника:
FDA62N28
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDA62N28-DG
Опис:
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
Докладний опис:
N-Channel 280 V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
Інвентаризація:
12847255
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
1VKi
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDA62N28 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
UniFET™
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
280 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
62A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
51mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
4630 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
500W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-3PN
Упаковка / Чохол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовий номер товару
FDA62
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IXTQ50N25T
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
242
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXTQ50N25T-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
3.10
Тип заміни
Similar
Номер частини
2SK1317-E
ВИРОБНИК
Renesas Electronics Corporation
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
5608
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
2SK1317-E-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
3.29
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
HUF76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK