Номер продукту виробника:
FDA38N30
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
FDA38N30-DG
Опис:
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
Докладний опис:
N-Channel 300 V 38A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Інвентаризація:
17406 Штук Новий Оригінал В наявності
12848094
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
J4Ma
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
FDA38N30 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
Tube
Ряд
UniFET™
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
300 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
38A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
85mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
312W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-3PN
Упаковка / Чохол
TO-3P-3, SC-65-3
Базовий номер товару
FDA38
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Інші назви
2832-FDA38N30
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
AOT22N50L
MOSFET N-CH 500V 22A TO220
FDB8441-F085
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
