Номер продукту виробника:
EFC4612R-TR
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
EFC4612R-TR-DG
Опис:
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Докладний опис:
N-Channel 24 V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount EFCP1313-4CC-037
Інвентаризація:
12847510
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
EFC4612R-TR Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
24 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
-
Rds On (Макс) @ id, vgs
45mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.3V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.6W (Ta)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
EFCP1313-4CC-037
Упаковка / Чохол
4-XFBGA
Базовий номер товару
EFC4612
Додаткова інформація
Стандартний пакет
5,000
Інші назви
EFC4612R-TROSDKR
2156-EFC4612R-TR-ONTR
ONSONSEFC4612R-TR
EFC4612R-TROSCT
EFC4612R-TR-DG
EFC4612R-TROSTR
Екологічна та експортна класифікація
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
SI8816EDB-T2-E1
ВИРОБНИК
Vishay Siliconix
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
SI8816EDB-T2-E1-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.10
Тип заміни
Similar
Номер частини
EFC3J018NUZTDG
ВИРОБНИК
onsemi
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
3146
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
EFC3J018NUZTDG-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.35
Тип заміни
Similar
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDD3N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
AO6414
MOSFET N-CH 55V 2.3A 6TSOP
BFL4004
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FI
