Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
Франція
Іспанія
Туреччина
Молдова
Литва
Норвегія
Німеччина
Португалія
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Російська
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Сербія
Білорусь
Нідерланди
Швеція
Чорногорія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Румунія
Австрія
Бельгія
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
ДР Конго
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Ангола
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Аргентина
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
DTC123JET1G
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
DTC123JET1G-DG
Опис:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Інвентаризація:
5909 Штук Новий Оригінал В наявності
12846605
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
3
g
P
f
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
DTC123JET1G Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Одинарні, попередньо біасовані біполярні транзистори
Виробник
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100 mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50 V
Резистор - база (R1)
2.2 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47 kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
500nA
Потужність - Макс
200 mW
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SC-75, SOT-416
Пакет пристроїв від постачальника
SC-75, SOT-416
Базовий номер товару
DTC123
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
DTC123JET1G
HTML Технічний лист
DTC123JET1G-DG
Таблиці даних
MUN2235, MUN5235, DTC123Jxx, NSBC123JF3
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
DTC123JET1GOSCT
ONSONSDTC123JET1G
2156-DTC123JET1G-OS
DTC123JET1G-DG
DTC123JET1GOSTR
DTC123JET1GOSDKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DTC114EM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
DTA144EET1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
FJN3306RTA
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
DTC114TM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723