Номер продукту виробника:
2SB1215S-E
Product Overview
Виробник:
onsemi
Номер частини:
2SB1215S-E-DG
Опис:
TRANS PNP 100V 3A TP
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Інвентаризація:
12836457
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
2SB1215S-E Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Єдині біполярні транзистори
Виробник
onsemi
Упаковка
-
Ряд
-
Статус товару
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Струм - колектор (Ic) (макс.)
3 A
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
100 V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Струм - граничний струм колектора (макс.)
1µA (ICBO)
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
140 @ 500mA, 5V
Потужність - Макс
1 W
Частота - перехідний
130MHz
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Упаковка / Чохол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Пакет пристроїв від постачальника
TP
Базовий номер товару
2SB1215
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
500
Інші назви
2156-2SB1215S-E
ONSONS2SB1215S-E
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
BC32716TA
TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
BD238S
TRANS PNP 80V 2A TO126-3
2SC4135S-E
TRANS NPN 100V 2A TP
