Номер продукту виробника:
PSMN102-200Y,115
Product Overview
Виробник:
Nexperia USA Inc.
Номер частини:
PSMN102-200Y,115-DG
Опис:
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Докладний опис:
N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Інвентаризація:
76310 Штук Новий Оригінал В наявності
12830193
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
3VXr
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
PSMN102-200Y,115 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
TrenchMOS™
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
200 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
102mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 1mA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
30.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1568 pF @ 30 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
113W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
LFPAK56, Power-SO8
Упаковка / Чохол
SC-100, SOT-669
Базовий номер товару
PSMN102
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,500
Інші назви
1727-5227-6
568-6544-2-DG
568-6544-1-DG
1727-5227-2
PSMN102-200Y T/R-DG
1727-5227-1
5202-PSMN102-200Y,115TR
PSMN102200Y115
568-6544-6-DG
PSMN102-200Y,115-DG
568-6544-6
PSMN102-200Y T/R
568-6544-2
568-6544-1
934061323115
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
PSMN5R8-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
PSMN7R0-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
