PMN30ENEAX
Номер продукту виробника:

PMN30ENEAX

Product Overview

Виробник:

Nexperia USA Inc.

Номер частини:

PMN30ENEAX-DG

Опис:

MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Докладний опис:
N-Channel 40 V 5.4A (Ta) 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Інвентаризація:

21100 Штук Новий Оригінал В наявності
12919567
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
LZy7
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

PMN30ENEAX Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
40 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
30mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
11.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
440 pF @ 20 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Клас
Automotive
Кваліфікації
AEC-Q101
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
6-TSOP
Упаковка / Чохол
SC-74, SOT-457
Базовий номер товару
PMN30

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
5202-PMN30ENEAXTR
934660863115
1727-8681-6
1727-8681-2
1727-8681-1

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
vishay-siliconix

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI7388DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHF5N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220

vishay-siliconix

SQ4050EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC