Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
Франція
Іспанія
Туреччина
Молдова
Литва
Норвегія
Німеччина
Португалія
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Російська
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Сербія
Білорусь
Нідерланди
Швеція
Чорногорія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Румунія
Австрія
Бельгія
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
ДР Конго
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Ангола
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Аргентина
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
PEMB9,115
Product Overview
Виробник:
Nexperia USA Inc.
Номер частини:
PEMB9,115-DG
Опис:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Докладний опис:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Інвентаризація:
4000 Штук Новий Оригінал В наявності
12827547
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
R
I
3
A
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
PEMB9,115 Технічні специфікації
Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Біполярні транзисторні масиви, попередньо біасовані
Виробник
Nexperia
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47kOhms
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
100 @ 5mA, 5V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Струм - граничний струм колектора (макс.)
1µA
Частота - перехідний
-
Потужність - Макс
300mW
Клас
Automotive
Кваліфікації
AEC-Q101
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-666
Базовий номер товару
PEMB9
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
PEMB9,115
HTML Технічний лист
PEMB9,115-DG
Таблиці даних
PEMB9
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
PEMB9 T/R
568-6458-6-DG
568-6458-1
568-6458-2
1727-5159-1
1727-5159-2
568-6458-2-DG
568-6458-1-DG
PEMB9,115-DG
934057047115
PEMB9115
1727-5159-6
5202-PEMB9,115TR
568-6458-6
PEMB9 T/R-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
PEMH1,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
PUMH10,125
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
PUMH9/ZLF
TRANS PREBIAS
PBLS2002D,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP