Номер продукту виробника:
IXTT30N50P
Product Overview
Виробник:
IXYS
Номер частини:
IXTT30N50P-DG
Опис:
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Докладний опис:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Інвентаризація:
12913369
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
Rlch
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IXTT30N50P Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Littelfuse
Упаковка
-
Ряд
Polar
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
500 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
30A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
4150 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
460W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-268AA
Упаковка / Чохол
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Базовий номер товару
IXTT30
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SI4431CDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
SI4833ADY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
SI4154DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 36A 8SO
