Номер продукту виробника:
IRFH3707TRPBF
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IRFH3707TRPBF-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Докладний опис:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Інвентаризація:
7498 Штук Новий Оригінал В наявності
12804592
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
kSPe
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IRFH3707TRPBF Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
HEXFET®
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
12A (Ta), 29A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.35V @ 25µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
755 pF @ 15 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.8W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
8-PQFN (3x3)
Упаковка / Чохол
8-PowerVDFN
Базовий номер товару
IRFH3707
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
4,000
Інші назви
IRFH3707TRPBFCT
SP001551876
IRFH3707TRPBF-DG
IRFH3707TRPBFDKR
IRFH3707TRPBFTR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPB05N03LB
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IPC100N04S5L1R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPD60R950C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3