Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
Франція
Іспанія
Туреччина
Молдова
Литва
Норвегія
Німеччина
Португалія
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Російська
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Сербія
Білорусь
Нідерланди
Швеція
Чорногорія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Румунія
Австрія
Бельгія
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
ДР Конго
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Ангола
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Аргентина
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
IPW60R120P7XKSA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPW60R120P7XKSA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Докладний опис:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Інвентаризація:
Запит на пропозицію онлайн
12803826
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
D
v
J
2
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPW60R120P7XKSA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Ряд
CoolMOS™ P7
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
26A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 410µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1544 pF @ 400 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
95W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO247-3
Упаковка / Чохол
TO-247-3
Базовий номер товару
IPW60R120
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
IPW60R120P7XKSA1
HTML Технічний лист
IPW60R120P7XKSA1-DG
Таблиці даних
IPW60R120P7
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Інші назви
IPW60R120P7XKSA1-DG
SP001658382
448-IPW60R120P7XKSA1
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IXFX48N60Q3
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
38
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXFX48N60Q3-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
17.23
Тип заміни
MFR Recommended
Номер частини
IXTH32N65X
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
0
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXTH32N65X-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
5.96
Тип заміни
MFR Recommended
Номер частини
IXKH35N60C5
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
117
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXKH35N60C5-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
6.79
Тип заміни
MFR Recommended
Номер частини
IXFH34N65X2
ВИРОБНИК
IXYS
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
89
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IXFH34N65X2-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
4.08
Тип заміни
MFR Recommended
Номер частини
IPZA60R120P7XKSA1
ВИРОБНИК
Infineon Technologies
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
53
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IPZA60R120P7XKSA1-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
2.42
Тип заміни
Parametric Equivalent
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPP60R125CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
IRF7476
MOSFET N-CH 12V 15A 8SO
IRF3515L
MOSFET N-CH 150V 41A TO262
IRF1104STRR
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK