Номер продукту виробника:
IPW60R099P7XKSA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPW60R099P7XKSA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Докладний опис:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Інвентаризація:
54 Штук Новий Оригінал В наявності
12806441
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
ZJJP
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPW60R099P7XKSA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Ряд
CoolMOS™ P7
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
31A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 530µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1952 pF @ 400 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
117W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO247-3
Упаковка / Чохол
TO-247-3
Базовий номер товару
IPW60R099
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
30
Інші назви
SP001647038
IPW60R099P7XKSA1-DG
448-IPW60R099P7XKSA1
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IRLB3036GPBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
IRF7705GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
IRF1607PBF
MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
