Номер продукту виробника:
IPD65R400CEAUMA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPD65R400CEAUMA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Докладний опис:
N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Інвентаризація:
81872 Штук Новий Оригінал В наявності
12801331
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
XRd2
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPD65R400CEAUMA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
CoolMOS™
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
650 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
15.1A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
400mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 320µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
710 pF @ 100 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
118W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO252-3
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
IPD65R400
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
IPD65R400CEAUMA1CT
IPD65R400CEAUMA1-DG
IPD65R400CEAUMA1TR
IPD65R400CEAUMA1DKR
SP001466800
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPP65R150CFDAAKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFH8311TRPBF
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
