Номер продукту виробника:
IPD60R600P7SE8228AUMA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Докладний опис:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Інвентаризація:
2486 Штук Новий Оригінал В наявності
12851276
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
2Ql8
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPD60R600P7SE8228AUMA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
CoolMOS™ P7
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 80µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
363 pF @ 400 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
30W (Tc)
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO252-3
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
IPD60R
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
SP002367810
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1DKR
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1CT
IPD60R600P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R600P7SE8228AUMA1TR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
IPD60R600P7SAUMA1
ВИРОБНИК
Infineon Technologies
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
9704
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
IPD60R600P7SAUMA1-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.25
Тип заміни
Parametric Equivalent
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
FDC654P
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
R6511ENJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
IAUS300N08S5N012ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
