Номер продукту виробника:
IPD60R280CFD7ATMA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPD60R280CFD7ATMA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Докладний опис:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Інвентаризація:
4891 Штук Новий Оригінал В наявності
12803977
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
BnQI
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPD60R280CFD7ATMA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
CoolMOS™ CFD7
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
9A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
280mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4.5V @ 180µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
807 pF @ 400 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
51W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO252-3
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
IPD60R
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
SP001634124
IPD60R280CFD7ATMA1DKR
2156-IPD60R280CFD7ATMA1
IPD60R280CFD7
IPD60R280CFD7ATMA1TR
INFINFIPD60R280CFD7ATMA1
IPD60R280CFD7ATMA1CT
IPD60R280CFD7ATMA1-DG
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPS70N10S3L-12
MOSFET N-CH 1TO251-3
IPAN70R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
IRFS4310TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
