Номер продукту виробника:
IPD22N08S2L50ATMA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPD22N08S2L50ATMA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Докладний опис:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Інвентаризація:
5000 Штук Новий Оригінал В наявності
12800697
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
1qnI
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPD22N08S2L50ATMA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
OptiMOS™
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
75 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
27A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
50mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 31µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
630 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
75W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
IPD22N08
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
SP000252163
IPD22N08S2L-50-DG
IPD22N08S2L50ATMA1CT
IPD22N08S2L-50
IPD22N08S2L50ATMA1TR
IPD22N08S2L50ATMA1DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPI120N04S4-01M
MOSFET N-CH TO262-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
