Головна
Продукти
Виробники
Про DiGi
Зв'язатися з нами
Блоги та пости
Запит на ціну/Цитата
Ukraine
Увійти
Вибіркова мова
Поточна мова на ваш вибір:
Ukraine
Перемикання:
Англійська
Європа
Великобританія
ДР Конго
Аргентина
Туреччина
Румунія
Литва
Норвегія
Австрія
Ангола
Словакія
Ltaly
Фінляндія
Білорусь
Болгарія
Данія
Естонія
Польща
Україна
Словенія
Чеська
Грецька
Хорватія
Ізраїль
Чорногорія
Російська
Бельгія
Швеція
Сербія
Баскська
Ісландія
Боснії
Угорська
Молдова
Німеччина
Нідерланди
Ірландія
Азіатсько-Тихоокеанський регіон
Китай
Вʼєтнам
Індонезія
Таїланд
Лаос
Філіппінська
Малайзія
Корея
Японія
Гонконг
Тайвань
Сінґапур
Пакистан
Саудівська Аравія
Катар
Кувейт
Камбоджа
М'янма
Африка, Індія та Близький Схід
Об'єднані Арабські Емірати
Таджикистан
Мадагаскар
Індія
Іран
Франція
Південно-Африканська Республіка
Єгипет
Кенія
Танзанія
Гана
Сенегал
Марокко
Туніс
Південна Америка / Океанія
Нова Зеландія
Португалія
Бразилія
Мозамбік
Перу
Колумбія
Чилі
Венесуела
Еквадор
Болівія
Уруґвай
Іспанія
Парагвай
Австралія
Північна Америка
США
Гаїті
Канада
Коста-Ріка
Мексика
Про DiGi
Про нас
Про нас
Наші сертифікації
DiGi Вступ
Чому DiGi
Політика
Політика якості
Умови використання
Відповідність RoHS
Процес повернення
Ресурси
Категорії продуктів
Виробники
Блоги та пости
Послуги
Гарантія якості
Спосіб оплати
Глобальна доставка
Тарифи на доставку
Часті запитання
Номер продукту виробника:
IPD22N08S2L50ATMA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPD22N08S2L50ATMA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Докладний опис:
N-Channel 75 V 27A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Інвентаризація:
5000 Штук Новий Оригінал В наявності
12800697
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
*
Компанія
*
Ім'я контакту
*
Телефон
*
Електронна пошта
Адреса доставки
Повідомлення
1
q
n
I
(
*
) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPD22N08S2L50ATMA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
OptiMOS™
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
75 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
27A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
50mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2V @ 31µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
630 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
75W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
IPD22N08
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
IPD22N08S2L50ATMA1
HTML Технічний лист
IPD22N08S2L50ATMA1-DG
Таблиці даних
IPD22N08S2L-50
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,500
Інші назви
SP000252163
IPD22N08S2L-50-DG
IPD22N08S2L50ATMA1CT
IPD22N08S2L-50
IPD22N08S2L50ATMA1TR
IPD22N08S2L50ATMA1DKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
IPI120N04S4-01M
MOSFET N-CH TO262-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
IPD65R950CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
BSP373NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4