Номер продукту виробника:
IPB60R080P7ATMA1
Product Overview
Виробник:
Infineon Technologies
Номер частини:
IPB60R080P7ATMA1-DG
Опис:
MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Докладний опис:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Інвентаризація:
12806911
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
zFe5
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
IPB60R080P7ATMA1 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
CoolMOS™ P7
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
600 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
37A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 590µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
2180 pF @ 400 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
129W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PG-TO263-3
Упаковка / Чохол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовий номер товару
IPB60R080
Технічний опис та документи
Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних
Додаткова інформація
Стандартний пакет
1,000
Інші назви
IPB60R080P7ATMA1TR
IPB60R080P7ATMA1-DG
IPB60R080P7
SP001664898
IFEINFIPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1DKR
2156-IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
SPD04N50C3T
MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
SPU03N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
TN0604N3-G-P005
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
