ZXMP10A18KTC
Номер продукту виробника:

ZXMP10A18KTC

Product Overview

Виробник:

Diodes Incorporated

Номер частини:

ZXMP10A18KTC-DG

Опис:

MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Докладний опис:
P-Channel 100 V 3.8A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Інвентаризація:

29276 Штук Новий Оригінал В наявності
12905446
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

ZXMP10A18KTC Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
100 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
150mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
26.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1055 pF @ 50 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.17W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
TO-252-3
Упаковка / Чохол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовий номер товару
ZXMP10

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
2,500
Інші назви
ZXMP10A18KTCCT
ZXMP10A18KTCTR
ZXMP10A18KTCDKR

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
vishay-siliconix

IRFU014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

diodes

ZXMP10A16KTC

MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3

vishay-siliconix

2N6661-E3

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

vishay-siliconix

IRFZ14L

MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3